平成29年度 秋期 ネットワークスペシャリスト試験 午前II 問22

• ア: コンデンサに蓄えた電荷を用いて，データを記憶する。
  誤り。これはDRAMの記憶方式に該当します。

• イ: 電気抵抗の値を用いて，データを記憶する。
  誤り。これは抵抗変化型メモリ（ReRAM）の記憶方式に該当します。

• ウ: 一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
  正しい。MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリは、一つのメモリセルで複数の電圧レベルを持たせることで、2ビット以上のデータを記憶する方式です。

• エ: フリップフロップを利用して，データを記憶する。
  誤り。これはSRAMの記憶方式に該当します。

答え

ウ: 一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。